Производитель Номер продукта:
TSM2NB60CP ROG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM2NB60CP ROG-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
4945 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12900117
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM2NB60CP ROG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
249 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
44W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TSM2NB60CP ROGCT
TSM2NB60CP ROGCT-DG
TSM2NB60CP ROGTR-DG
TSM2NB60CP ROGDKR
TSM2NB60CPROGCT
TSM2NB60CP ROGDKR-DG
TSM2NB60CP ROGTR
TSM2NB60CPROGTR
TSM2NB60CPROGDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMS3014SFG-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
DMN3115UDM-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
DMT3003LFG-13
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
